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少子寿命测试仪

  • 更新时间:  2024-07-08
  • 产品型号:  WT-2000型
  • 简单描述
  • 从匈牙利Semilab公司引进,主要应用于半导体/光电/光伏材料(单晶/多晶硅片及硅锭)的工艺控制及测试手段。通过测量少子寿命,可做出晶体生长及工艺过程引入的缺陷图及硅片中的Fe元素污染图。仪器主要功能有微波光电导衰减法测少子寿命,光诱导电流测试,无接触方块电阻测试,涡流场体电阻率测试,Fe元素含量测试。
详细介绍

: 李 :

 

少子寿命测试仪(WT-2000型)

 

一、少子寿命测试仪简介:

 

  从匈牙利Semilab公司引进,主要应用于半导体/光电/光伏材料(单晶/多晶硅片及硅锭)的工艺控制及测试手段。通过测量少子寿命,可做出晶体生长及工艺过程引入的缺陷图及硅片中的Fe元素污染图。仪器主要功能有微波光电导衰减法测少子寿命,光诱导电流测试,无接触方块电阻测试,涡流场体电阻率测试,Fe元素含量测试。

 

二、的主要技术指标:

1. 微波光电导衰减法测少子寿命:

1.1 寿命测试范围:0.1 us – 30 ms  

1.2 测试分辨率:0.1%  

1.3扫描分辨率:0.5,1,2,4,8,16mm 

1.4 样品的电阻率范围:0.1 – 1000 ΩCM 

1.5 测试光点直径:1mm 

1.6 测试速度:30ms/数据点

1.7 zui大测试点数:超过360000 

1.8激光源波长:904nm 

1.9光源脉冲宽度:200ns,fall time 10ns

2. 光诱导电流测试

2.1 扫描区域:zui大210 ? 210 mm 

2.2 测试电流范围:1 uA – 1mA 

2.3 光源波长:403,880,950,980 nm 

2.4 选加功能:硅片,电池的上述激光波长反射率扫描,电池的IQE,EQE扫描 

2.5 通过两个以上的激光器,可以计算少数载流子的扩散长度

3. 方块电阻测试:

无接触方块电阻测试功能,以取代传统的四探针

3.1 可测试样品:np or pn structure 

3.2 测试范围:10 Ω/sq to 1000Ω/sq 

3.3 测试分辨率:2% 

3.4 扫描分辨率:10mm 

3.5 测试精度:< 3% 

3.6 测试重复性:< 1%

4. 体电阻率扫描:涡流场测试,无接触,无损伤测试

4.1 测试范围:0.5 – 20 ΩCM      

4.2 测试精度: 3-6 %  

4.3 测试重复性: 2%            

4.4 探头直径:5 mm

5. p型硅样品,范围:Fe含量1.0E10至1.0E15atom/cm3


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