少子寿命测试仪

: 李 :

少子寿命测试仪（WT-2000型）

一、少子寿命测试仪简介:

  从匈牙利Semilab公司引进，主要应用于半导体/光电/光伏材料（单晶/多晶硅片及硅锭）的工艺控制及测试手段。通过测量少子寿命，可做出晶体生长及工艺过程引入的缺陷图及硅片中的Fe元素污染图。仪器主要功能有微波光电导衰减法测少子寿命，光诱导电流测试，无接触方块电阻测试，涡流场体电阻率测试，Fe元素含量测试。

二、的主要技术指标:

1. 微波光电导衰减法测少子寿命:

1.1 寿命测试范围：0.1 us – 30 ms  

1.2 测试分辨率：0.1%  

1.3扫描分辨率：0.5,1,2,4,8,16mm 

1.4 样品的电阻率范围：0.1 – 1000 ΩCM 

1.5 测试光点直径：1mm 

1.6 测试速度：30ms/数据点

1.7 zui大测试点数：超过360000 

1.8激光源波长：904nm 

1.9光源脉冲宽度：200ns,fall time 10ns

2. 光诱导电流测试

2.1 扫描区域：zui大210 ? 210 mm 

2.2 测试电流范围：1 uA – 1mA 

2.3 光源波长：403，880，950，980 nm 

2.4 选加功能：硅片，电池的上述激光波长反射率扫描，电池的IQE，EQE扫描 

2.5 通过两个以上的激光器，可以计算少数载流子的扩散长度

3. 方块电阻测试:

无接触方块电阻测试功能，以取代传统的四探针

3.1 可测试样品：np or pn structure 

3.2 测试范围：10 Ω/sq to 1000Ω/sq 

3.3 测试分辨率：2% 

3.4 扫描分辨率：10mm 

3.5 测试精度：< 3% 

3.6 测试重复性：< 1%

4. 体电阻率扫描：涡流场测试，无接触，无损伤测试

4.1 测试范围：0.5 – 20 ΩCM      

4.2 测试精度： 3-6 %  

4.3 测试重复性： 2%            

4.4 探头直径：5 mm

5. p型硅样品，范围：Fe含量1.0E10至1.0E15atom/cm3